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J-GLOBAL ID：201302242289310132   整理番号：13A1054745

直接Cu基板上に成長した単一垂直配列ZnOナノワイヤにおける抵抗スイッチング

Resistive switching in single vertically-aligned ZnO nanowire grown directly on Cu substrate

著者 (23件)： DUGAICZYK Lars (NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  DUGAICZYK Lars (UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  DUGAICZYK Lars (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California Santa Cruz, Santa Cruz, CA 95064, USA) ,  NGO-DUC Tam-triet (NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  NGO-DUC Tam-triet (UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  GACUSAN Jovi (NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  GACUSAN Jovi (UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  SINGH Karandeep (NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  SINGH Karandeep (UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  YANG Jonathan (NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  YANG Jonathan (UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  SANTHANAM Sarnath (UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  SANTHANAM Sarnath (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California Santa Cruz, Santa Cruz, CA 95064, USA) ,  HAN Jin-woo (NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  HAN Jin-woo (UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  KOEHNE Jessica E. (NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  KOEHNE Jessica E. (UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  KOBAYASHI Nobuhiko P. (UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  KOBAYASHI Nobuhiko P. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California Santa Cruz, Santa Cruz, CA 95064, USA) ,  MEYYAPPAN M. (NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  OYE Michael M. (NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  OYE Michael M. (UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  OYE Michael M. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California Santa Cruz, Santa Cruz, CA 95064, USA)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 575  ページ： 112-114  発行年： 2013年06月21日 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直接銅基板上で成長した単一垂直配列ZnOナノワイヤの単極抵抗スイッチング測定を報告する。伝導性原子間力顕微鏡を用いた電気測定は,30kV/cmで伝導性フィラメントの形成を示している。これは,バルクフィルムの場合より一桁低い電場であり,ナノワイヤ表面上の優先的なフィラメント形成の可能性を提示している。高及び低抵抗メモリ状態の間で3桁高い抵抗比が観察された。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 銅 ,  基板 ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノワイヤ ,  *スイッチング ,  電気抵抗 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  フィラメント ,  ナノ構造 ,  化合物半導体 ,  VLS成長 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 金属基板 ,  ZnOナノワイヤ ,  抵抗スイッチング ,  原子間力顕微鏡観察 ,  ナノフィラメント ,  II-VI族半導体

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  成長 ,  垂直配列 ,  ZnOナノワイヤ ,  抵抗スイッチング