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J-GLOBAL ID：201302242414170500   整理番号：13A0400443

VHF-PECVDで作製した窒化ケイ素のフォトルミネッセンス特性

Photoluminescence properties of silicon nitride prepared by VHF-PECVD

著者 (4件)： SONG Jie (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN) ,  GUO Yan Qing (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN) ,  SONG Chao (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN) ,  WANG Xiang (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 531/532  ページ： 392-395  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波(40.68MHz)プラズマ励起CVDで作製した非晶質窒化ケイ素(a-Si₃N_x)膜のフォトルミネッセンス(PL)特性を調べた。アンモニア,シラン及び水素を原料ガスとし,基板温度50°CでSi(100)と石英基板に成長させた。320nmで励起したPLスペクトルから,アンモニア流量が5から50sccmへ増加すると700nmを中心とする弱いPLピークは500nmへブルーシフトした。PL強度はアンモニア流量と共に増加し,30sccmで最大となり,それ以上では減少した。光学バンドギャップもアンモニア流量が5から50sccmへ増加すると2.25から3.55eVへ増加し,PLピーク位置と同様な傾向を示した。フーリエ変換赤外分光スペクトルと透過スペクトルから光放出はa-Si₃N_xのバンドテール状態での放射再結合に起因すると考えられた。

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  VHF【周波数】 ,  *プラズマCVD ,  基板 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  石英 ,  シラン ,  アンモニア ,  水素 ,  *非晶質 ,  *光ルミネセンス ,  *光学ギャップ ,  *放射強度 ,  *蒸着膜
準シソーラス用語： PECVD ,  Siウエハ ,  フォトルミネセンス ,  光学バンドギャップ ,  発光強度

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (5件)： VHF ,  PECVD ,  作製 ,  窒化ケイ素 ,  フォトルミネッセンス