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J-GLOBAL ID：201302242546518475   整理番号：13A0052726

ソフト・ナノエレクトロニクスのためのナノスケールの抵抗材料Cu₂Oのダイレクトパターニング

Direct Patterning of Nanoscale Cu₂O Resistive Material for Soft Nanoelectronics

著者 (4件)： HONG Sung-Hoon (Univ. Pennsylvania, PA, USA) ,  CHO Joong-Yeon (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  YANG Ki-Yeon (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyeonggi, KOR) ,  LEE Heon (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 12  ページ： 126501.1-126501.3  発行年： 2012年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソフト・ナノエレクトロニクスのための酸化銅メモリ素子を作る簡単なダイレクトナノインプリント描画方法を示す。プロセスは室温,低圧で行われ,Si基板だけではなく,フレキシブルなポリイミド基板にもCu₂O抵抗のナノアレイを作ることができるた。200nmのCu₂Oナノピラーの抵抗の切り換えは,2V,5μAの弱電流コンプライアンスによって行われ,しかも,高抵抗状態から低抵抗状態への可逆的切り換えが,高い耐久性を持って10ナノ秒の速い切換え時間で達成できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子技術 ,  *ナノ構造 ,  *材料 ,  *酸化銅 ,  *パターン形成 ,  記憶素子 ,  *RAM【メモリ】 ,  速度 ,  *ナノ材料
準シソーラス用語： スイッチング速度 ,  *ナノエレクトロニクス ,  *ナノスケール材料 ,  *ナノパターニング ,  メモリ素子 ,  *抵抗変化メモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (14件)：

• MEIJER, G. I. Science. 2008, 319, 1625
• DONG, Y. Nano Lett. 2008, 8, 386
• YANG, Y. C. Nano Lett. 2009, 9, 1636
• ARGALL, F. Solid-State Electron. 1968, 11, 535
• CHOI, B. J. J. Appl. Phys. 2005, 98, 033715

タイトルに関連する用語 (4件)： ソフト ,  ナノエレクトロニクス ,  ナノスケール ,  Cu2O