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J-GLOBAL ID：201302242635836499   整理番号：13A1040229

p型電荷キャリアを持つVIII族包接化合物Ba₈Ga_15.9Sn_30.1-xGe_xの結晶成長と熱電気特性

Crystal growth and thermoelectric properties of type-VIII clathrate Ba₈Ga_15.9Sn_30.1-xGe_x with p-type charge carriers

著者 (6件)： CHEN Yue-Xing (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  DU Bao-Li (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  DU Bao-Li (Henan Polytechnic Univ., Jiaozuo, CHN) ,  SAIGA Yuta (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  KAJISA Kousuke (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  TAKABATAKE Toshiro (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 46  号： 20  ページ： 205302,1-6  発行年： 2013年05月22日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VIII族包接化合物Ba₈Ga₁₆Sn₃₀は,400~600Kの範囲において有望な熱電材料であることがわかっている。本研究では,この包接化合物のSnをGeで置換したBa₈Ga₄₀Sn_30-xGe_x(0≦x≦6)の一連の試料を作製し,その組成と熱電気特性を調べた。組成分析から,実際に得られた単結晶の原子組成は,Ba₈Ga_15.9Sn_30.1-xGe_x(0≦x≦4.73)と表されることがわかった。SnをGeで置換すると,一般に,Seebeck係数は1.3倍,電気抵抗は2倍増加した。正孔キャリア密度はほとんど変化しないために,540Kでの性能指数は,x=0.07で最大の0.87を示した。

シソーラス用語： キャリア ,  *包接化合物 ,  結晶成長 ,  *電気特性 ,  バリウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  スズ化合物 ,  *効果 ,  輸送係数 ,  電気抵抗 ,  電荷キャリア ,  Seebeck係数
準シソーラス用語： *熱電気特性 ,  *置換効果

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電荷キャリア ,  VIII族 ,  包接化合物 ,  結晶成長 ,  熱電気特性