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J-GLOBAL ID：201302243334301464   整理番号：13A0566207

窒化チタン超薄膜の光学的及び電気的に決定された抵抗率間の相違について

On the difference between optically and electrically determined resistivity of ultra-thin titanium nitride films

著者 (3件)： VAN BUI H. (MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD) ,  KOVALGIN A.y. (MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD) ,  WOLTERS R.a.m. (MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 269  ページ： 45-49  発行年： 2013年03月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では厚さが0.65~20nmの範囲の原子層堆積窒化チタン超薄膜の抵抗率の分光偏光解析法と電気的試験構造を用いた決定とその比較について報告した。4nmより厚い薄膜では,2つの方法で得られた抵抗率の値は良く一致した。しかしながら,4nm以下では,膜厚の減少と共に差が増大した。1.8nmでは3倍の相違が見いだされ,0.65nmでは数百倍に増加した。この著しい相違は,分光偏光解析測定で充分考慮されてこなかった,結晶粒界と界面での電子散乱効果に帰せられた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電気抵抗率 ,  *超薄膜 ,  *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  偏光解析法 ,  電子散乱 ,  結晶粒界 ,  界面 ,  *電流電圧特性 ,  *誘電関数 ,  固体論
準シソーラス用語： *窒化チタン ,  Drude理論

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化チタン ,  超薄膜 ,  光学 ,  抵抗率 ,  相違