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J-GLOBAL ID：201302243358591994   整理番号：13A0247395

MOCVDによって成長したInGaAs/GaAsヘテロ構造におけるインジウム偏析の熱力学と反応速度論

Thermodynamics and kinetics of indium segregation in InGaAs/GaAs heterostructures grown by MOCVD

著者 (4件)： SOZYKIN A.s. (Bauman Moscow Technical Univ., Kaluga Branch, Bazhenov str. 2, Kaluga 248000, RUS) ,  STRELCHENKO S.s. (Bauman Moscow Technical Univ., Kaluga Branch, Bazhenov str. 2, Kaluga 248000, RUS) ,  PROKOLKIN E.v. (Bauman Moscow Technical Univ., Kaluga Branch, Bazhenov str. 2, Kaluga 248000, RUS) ,  LADUGIN M.a. (Sigm Plus Co., Vvedenskogo Str. 3, Moscow 117342, RUS)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 363  ページ： 253-257  発行年： 2013年01月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Ga(C₂H₅)₃-In(CH₃)₃-AsH₃系物質を用いて,量子井戸を有するInGaAs/GaAsヘテロ構造におけるMOCVD成長過程の熱力学-反応速度論モデルを考案した。そのモデルに偏析広がり効果を取り入れた。モデルを用いて,インジウム偏析を大きく減少させる方法を調査した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  *量子井戸 ,  *偏析 ,  熱力学 ,  反応速度 ,  *インジウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： MOCVD ,  成長 ,  InGaAs ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  インジウム ,  偏析 ,  熱力学 ,  反応速度論