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J-GLOBAL ID：201302244028496274   整理番号：13A1576093

計算科学-表面処理とシミュレーション 動的モンテカルロ法によるめっきシミュレーションの新展開

著者 (1件)： 金子豊 (京大 大学院情報学研究科)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 64  号： 10  ページ： 531-536  発行年： 2013年10月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,動的モンテカルロ法(KMC法)の基礎事項からめっき分野における最近の応用例について解説する。最初にKMC法の基本設定と代表的なアルゴリズムである結晶成長モデルについて述べる。さらに,電気銅めっきを例にとり,KMCシミュレーションの研究例を紹介する。まずKMC法と連続体モデルのハイブリッドモデルについて述べ,次に溶液に粒子モデルを用いたSolid-by-Solidモデルによるトレンチフィリングのシミュレーションをとり上げる。最後に今後の展望として,KMCの高速計算法について触れ,結晶成長の大規模計算の鍵になると期待されている初通過動的モンテカルロ法を紹介する。

シソーラス用語： 表面処理 ,  *電気めっき ,  *モンテカルロ法 ,  計算機シミュレーション ,  *結晶成長 ,  銅めっき ,  高速計算 ,  計算機処理速度 ,  結晶構造 ,  格子模型 ,  計算機アルゴリズム ,  物質移動
準シソーラス用語： ハイブリッドモデル ,  *計算科学 ,  計算速度 ,  三次元解析 ,  初通過時間 ,  大規模計算 ,  動的モンテカルロ ,  連続体モデル

分類 (1件)： 電気めっき  (WC08023B)

引用文献 (23件)：

• ANDRICACOS, P. C. IBMJ. Res. Develop. 1998, 42, 567
• 傳田精一. 表面技術. 2007, 58, 712
• SUN, J. -J. J. Electrochem. Soc. 2003, 150, G655
• CHATTERJEE, A. J. Computer-Aided Mater. Des. 2007, 14, 253
• LI, X. J. Electrochem. Soc. 2007, 154, D230

タイトルに関連する用語 (6件)： 計算科学 ,  表面処理 ,  シミュレーション ,  動的モンテカルロ法 ,  めっき ,  展開