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J-GLOBAL ID：201302245348113302   整理番号：13A1079467

Hf_0.5Zr_0.5O₃薄膜の厚みとアニーリング温度に従う相と強誘電特性の進展

Evolution of phases and ferroelectric properties of thin Hf_0.5Zr_0.5O₂ films according to the thickness and annealing temperature

著者 (6件)： HYUK PARK Min (WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...) ,  JOON KIM Han (WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...) ,  JIN KIM Yu (WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...) ,  LEE Woongkyu (WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...) ,  MOON Taehwan (WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...) ,  SEONG HWANG Cheol (WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 102  号： 24  ページ： 242905-242905-5  発行年： 2013年06月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,  *ジルコニウム酸塩 ,  *誘電体薄膜 ,  結晶構造 ,  *強誘電性 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  斜方晶系 ,  膜厚 ,  残留分極
準シソーラス用語： アニーリング

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜 ,  厚み ,  アニーリング温度 ,  相 ,  強誘電特性 ,  進展