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J-GLOBAL ID：201302246640460702   整理番号：13A1630182

リセス構造のRe底ゲートを持つ極清浄単一,二重,及び三重カーボンナノチューブ量子ドット

Ultraclean Single, Double, and Triple Carbon Nanotube Quantum Dots with Recessed Re Bottom Gates

著者 (6件)： JUNG Minkyung (Univ. Basel, Basel, CHE) ,  SCHINDELE Jens (Univ. Basel, Basel, CHE) ,  NAU Stefan (Univ. Basel, Basel, CHE) ,  WEISS Markus (Univ. Basel, Basel, CHE) ,  BAUMGARTNER Andreas (Univ. Basel, Basel, CHE) ,  SCHOENENBERGER Christian (Univ. Basel, Basel, CHE)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 13  号： 9  ページ： 4522-4526  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ(CNT)を用いて単一,二重及び三重の極清浄な量子ドット(QD)を簡単に作製した。CNTに静電的に量子ドットを実現するため,P型縮退シリコン基板上の酸化膜に極近接(20nm)した二本のトレンチを施し,それらの底に金属(Re)ゲートをスパッタにより作製した。CNTを底ゲート上にサスペンドしてCVDにより成長し,その両端に通常の電子線リソグラフィによりドレイン,ソース電極(電極間距離:700nm)を配し,二つの近接した底ゲートと基板バックゲートを有する高品質のCNT FETを作製した。結果は,ドレイン-ソース電極間の全P型バリスティック輸送,底ゲートのどちらかの一つのゲートに誘起された清浄なN型のQD,N型の二重QD,そして真中とその両側が互いに逆極性の三重のQDが実現できることを示した。

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  *カーボンナノチューブ ,  *レニウム ,  量子ドット ,  静電場 ,  *素子構造 ,  化学蒸着 ,  電子ビームリソグラフィー ,  *FET【トランジスタ】 ,  バリスティック輸送 ,  トレンチカット【加工】 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  ドレイン【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  P型半導体 ,  N型半導体
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  バックゲート ,  ボトムゲート ,  *リセス構造 ,  シリコン基板

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： リセス構造 ,  Re ,  ゲート ,  極 ,  三重 ,  カーボンナノチューブ ,  量子ドット