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J-GLOBAL ID：201302247005963184   整理番号：13A1682579

2重層SiOx/HfSiONゲート誘電体スタックにおいて故障する第1層の同定

Identifying the First Layer to Fail in Dual-Layer SiO_x/HfSiON Gate Dielectric Stacks

著者 (7件)： PADOVANI Andrea (Universita di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, ITA) ,  PADOVANI Andrea (MDLab s.r.l., Saint Christophe, ITA) ,  RAGHAVAN Nagarajan (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  RAGHAVAN Nagarajan (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  LARCHER Luca (Universita di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, ITA) ,  LARCHER Luca (MDLab s.r.l., Saint Christophe, ITA) ,  PEY Kin Leong (Singapore Univ. Technol. and Design, Singapore)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 10  ページ： 1289-1291  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層ゲートスタックの信頼度を上げるためには劣化して破壊する最も弱い層がどれかを理解する必要がある。本稿では,熱化学ボンド破壊モデルを使って2重層HfSiON/SiOx誘電体スタックの劣化を研究した。低圧縮性時間依存絶縁破壊実験で,誘電体の弱いリンクとしてSiOx IIを示して,単一層のSiON誘電体と2重層のSiOx/HfSiONスタックの劣化過程は,同じ動特性(即ち,活性化エネルギ及び電界加速パラメータ)であることが明らかになった。この発見は,Si-O結合破壊過程に関連する一層小さなE_AとHfSiONにおけるよりも著しく高い電場をもたらす一層低いκとに起因する界面層の中での故障スポットの発生を示しており,物理学ベースの故障シミュレーションがこれを支持した。

シソーラス用語： 多層膜 ,  *酸化ケイ素 ,  酸化膜 ,  *時間依存性 ,  *絶縁破壊 ,  境界層 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *ゲートスタック ,  *ゲート誘電体 ,  *二重層 ,  界面層 ,  酸化シリコン

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 2重層 ,  HfSiON ,  ゲート誘電体 ,  スタック ,  故障 ,  1層 ,  同定