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J-GLOBAL ID：201302247301918453   整理番号：13A1002515

導電分域モデルのスイッチングに基づく(Ba_0.6Sr_0.4)TiO₃薄膜の電場誘起抵抗スイッチング

Field-induced resistive switching of (Ba_0.6Sr_0.4)TiO₃ thin films based on switching of conducting domains model

著者 (2件)： HE Xiliang (State Key Lab. of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. ...) ,  LI Xiaomin (State Key Lab. of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 102  号： 22  ページ： 221601-221601-3  発行年： 2013年06月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *スイッチング ,  *ストロンチウム化合物 ,  *チタン酸塩 ,  *バリウム化合物 ,  *誘電体薄膜 ,  強誘電分域 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *チタン酸バリウムストロンチウム ,  *抵抗スイッチング

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分域 ,  モデル ,  スイッチング ,  薄膜 ,  電場 ,  誘起 ,  抵抗スイッチング