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J-GLOBAL ID：201302247355864472   整理番号：13A1823786

400keVのセシウムイオンを注入した3C炭化ケイ素の再結晶化速度論

Recrystallization Kinetics of 3C Silicon Carbide Implanted with 400keV Cesium Ions

著者 (8件)： OSTERBERG Daniel D. (Boise State Univ., Idaho) ,  YOUNGSMAN John (Boise State Univ., Idaho) ,  YOUNGSMAN John (Center for Advanced Energy Studies, Idaho) ,  UBIC Rick (Boise State Univ., Idaho) ,  UBIC Rick (Center for Advanced Energy Studies, Idaho) ,  REIMANIS Ivar E. (Colorado School of Mines, Colorado) ,  BUTT Darryl P. (Boise State Univ., Idaho) ,  BUTT Darryl P. (Center for Advanced Energy Studies, Idaho)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 96  号： 10  ページ： 3290-3295  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3C-SiCに400keVのCsを10¹⁶ions/cm²注入し,600~1000°Cで~48hアニール後,TEMの明視野像,制限視野電子線回折及びSIMSでイオン注入領域の微細構造と密度を分析した。725°Cで非常に遅い再結晶化が認められ,36hで完全結晶化した。725°C×4hで深さ263±3nmまで結晶化した。再結晶化した微細構造は大きな粒子(200nm)と小さな粒子(20nm)から成り,明視野像から局所的なエピタキシャル成長を示した。SiCの再結晶化は非晶質,損傷領域,基板との界面から始まった。画像分析から結晶相を定量化し,再結晶速度を求めた。見掛けの活性化エネルギーは480kJ/molであった。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *イオン注入 ,  *セシウム化合物 ,  *金属イオン ,  *再結晶 ,  *晶析速度 ,  熱処理 ,  微細構造 ,  密度 ,  相組成 ,  結晶粒度 ,  エピタクシー ,  界面 ,  非晶質 ,  区域 ,  損傷 ,  基板 ,  活性化エネルギー ,  多結晶
準シソーラス用語： *セシウムイオン ,  損傷域 ,  熱アニーリング

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (4件)： セシウムイオン ,  注入 ,  炭化ケイ素 ,  結晶化速度論