文献

J-GLOBAL ID：201302247484942331   整理番号：13A0827819

歪まされたSi_1ーxGe_xチャンネルP-電界効果型トランジスタへのSi_1ーyGe_y または Ge_1ーzSn_zソース/ドレインのストレス体:コンピュータ支援デザイン研究の技術

Si_1-yGe_y or Ge_1-zSn_z Source/Drain Stressors on Strained Si_1-xGe_x-Channel P-Type Field-Effect Transistors: A Technology Computer-Aided Design Study

著者 (10件)： ENEMAN Geert (IMEC, Leuven, BEL) ,  DE KEERSGIETER An (IMEC, Leuven, BEL) ,  WITTERS Liesbeth (IMEC, Leuven, BEL) ,  MITARD Jerome (IMEC, Leuven, BEL) ,  VINCENT Benjamin (IMEC, Leuven, BEL) ,  HIKAVYY Andriy (IMEC, Leuven, BEL) ,  LOO Roger (IMEC, Leuven, BEL) ,  HORIGUCHI Naoto (IMEC, Leuven, BEL) ,  COLLAERT Nadine (IMEC, Leuven, BEL) ,  THEAN Aaron (IMEC, Leuven, BEL)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 4,Issue 2  ページ： 04CC01.1-04CC01.4  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪緩和バッファー(SRBs)とエピタキシャルソース/ドレインのストレス体の2つのストレス技法間の相互作用を,短いSi_1ーxGe_xとGeチャネルのプレーナートランジスタ上で研究された。本研究は,これら二つの技法により作られた長手方向のチャネルストレスに焦点を絞る。歪無しシリコンチャネルトランジスターの場合と異なり,歪緩和バッファー上の歪ありチャネルにおいては,くぼみの無いソース/ドレインストレス体は,深い窪みのあるソース/ドレインストレス体よりも似た長手方向のチャネルストレスを発生する。最も低い効率のストレス転移が,その下の基板ではなく,歪まされたチャネルのみを除去する小さな窪みのあるソース/ドレインストレス体について得られた。これらの傾向は,ソース/ドレインの凹所を設ける最中の歪まされたチャネルの弾性緩和と,より厚いソース/ドレインストレス体の増加したストレスとの間のトレードオフにより説明される。GeチャネルpFETにおいては,GeSnソース/ドレインとSi_1ーxGe_xひずみ緩和バッファーは移動度強化のための効果的なストレス体である。前者はゲートが最後のスキームにおいてゲートが最初のものより,より効率的であり,SRBより発生したストレスはゲートスキームとは独立していることがみられた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プレーナ構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *固溶体 ,  緩和現象 ,  *バッファ層 ,  残留歪 ,  エピタクシー ,  スズ ,  CAD【計算機】 ,  チャネル ,  *応力 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】
準シソーラス用語： 歪緩和

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (27件)：

• 1) G. Hellings, L. Witters, R. Krom, J. Mitard, A. Hikavyy, R. Loo, A. Schulze, G. Eneman, C. Kerner, J. Franco, T. Chiarella, S. Takeoka, J. Tseng, W. Wang, W. Vandervorst, P. Absil, S. Biesemans, M. Heyns, K. De Meyer, M. Meuris, and T. Hoffmann: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 10.4.1.
• 2) G. Hellings, A. Hikavyy, J. Mitard, L. Witters, B. Benbakhti, A. Alian, N. Waldron, H. Bender, G. Eneman, R. Krom, A. Schulze, W. Vandervorst, R. Loo, M. Heyns, M. Meuris, T. Hoffmann, and K. De Meyer: Thin Solid Films 520 (2012) 3326.
• 3) G. Eneman, L. Witters, N. Collaert, J. Mitard, G. Hellings, S. Yamaguchi, A. De Keersgieter, A. Hikavyy, B. Vincent, P. Favia, H. Bender, A. Veloso, T. Chiarella, M. Togo, R. Loo, K. De Meyer, A. Mercha, N. Horiguchi, and A. Thean: ECS Trans. 45 [3] (2012) 235.
• 4) J. Mitard, L. Witters, G. Eneman, G. Hellings, L. Pantisano, A. Hikavyy, R. Loo, P. Eyben, N. Horiguchi, and A. Thean: Symp. VLSI Technology, 2012, p. 163.
• 5) J. Mitard, L. Witters, G. Hellings, R. Krom, J. Franco, G. Eneman, A. Hikavyy, B. Vincent, R. Loo, P. Favia, H. Dekkers, E. Altamirano Sanchez, A. Vanderheyden, D. Vanhaeren, P. Eyben, S. Takeoka, S. Yamaguchi, M. Van Dal, W. Wang, S. Hong, W. Vandervorst, K. De Meyer, S. Biesemans, P. Absil, N. Horiguchi, and T. Hoffmann: Symp. VLSI Technology, 2011, p. 134.

タイトルに関連する用語 (7件)： チャンネル ,  電界効果型トランジスタ ,  ソース ,  ドレイン ,  ストレス ,  コンピュータ支援デザイン ,  研究