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J-GLOBAL ID：201302248576658172   整理番号：13A1660401

ゲート誘電体がAl₂O₃とSi₃N₄/Al₂O₃のAuフリーAlGaN/GaNオンシリコンパワーデバイスの製造と性能

Fabrication and Performance of Au-Free AlGaN/GaN-on-Silicon Power Devices With Al₂O₃ and Si₃N₄/Al₂O₃ Gate Dielectrics

著者 (8件)： VAN HOVE Marleen (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  KANG Xuanwu (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  STOFFELS Steve (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  WELLEKENS Dirk (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  RONCHI Nicolo (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  VENEGAS Rafael (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  GEENS Karen (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  DECOUTERE Stefaan (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 10  ページ： 3071-3078  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottkyコンタクトの通常GaN HEMTは分散とゲートリークが多い問題があるが,MISHEMTにゲート絶縁体を使うと電流リークを順逆の両バイアスで大きく減らせる。Si基板上のAuフリーGaN MISHEMTを報告する。3種類のプロセスによるデバイス特性を比較した。それらは,オーミックファースト,ゲート絶縁体としてAl₂O₃だけ,ゲート絶縁体がSi₃N₄/Al₂O₃2層のものである。2層絶縁体プロセスのデバイスだけがブレークダウン電圧600V以上を得られた。AuフリーTi/Al/Wメタライゼーションのオーミックコンタクト抵抗は1Ωmm以下である。デバイスは高い最大電流密度(>0.4A/mm),低いゲートおよびドレインリーク(<10^-10A/mm)を示した。ゲート幅20mmの最大パルスモードソースドレイン電流は8Aで,比オン抵抗は2.9mΩcm²である。

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  酸化膜 ,  *HEMT ,  *MIS構造 ,  半導体素子 ,  酸化アルミニウム ,  窒化ケイ素 ,  Ohm接触 ,  接触抵抗 ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  ゲート絶縁膜 ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  化成皮膜
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  オーミックコンタクト ,  ゲート誘電体 ,  *パワーデバイス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート誘電体 ,  Al2O3 ,  Si3N4 ,  Au ,  AlGaN ,  GaN