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J-GLOBAL ID：201302248777061425   整理番号：13A1721286

バンド励起電気化学歪み顕微鏡法とI-VマッピングによるNiO中抵抗スイッチング機構の解明

著者 (7件)： 杉山一生 (東大 工) ,  柴田直哉 (東大 工) ,  山本剛久 (名古屋大) ,  山本剛久 (JFCC) ,  幾原雄一 (東大 工) ,  幾原雄一 (JFCC) ,  幾原雄一 (東北大 WPI)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.19A-D2-5  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *スイッチング ,  *電気抵抗 ,  電流電圧特性 ,  酸化ニッケル ,  *走査型プローブ顕微鏡 ,  イオン輸送 ,  酸化還元反応 ,  反強磁性体
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング

分類 (4件)： 固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (7件)： バンド ,  励起 ,  電気化学 ,  歪み ,  顕微鏡法 ,  マッピング ,  抵抗スイッチング