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J-GLOBAL ID：201302249048748140   整理番号：13A1418917

集積化GaNベースSchottky型発光ダイオードを用いた赤色,緑色,青色ピクセルの作製

Fabrication of Red, Green, and Blue Pixels Using Integrated GaN-Based Schottky-Type Light-Emitting Diodes

著者 (5件)： HONDA Tohru (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Tomohiro (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SAKAI Naoyuki (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  FUJIOKA Shuhei (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SUGIURA Yohei (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 2  ページ： 08JH12.1-08JH12.3  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシー(MBE)により成長させたGaN層を使って,GaNベース紫外Schottky型(ST)LEDを作製した。赤色,緑色,青色(RGB)ピクセルを,UV-LEDとRGB蛍光体を使って作製した。表面改質によって,逆バイアス漏れ電流が減少し,順方向バイアス特性が改善された。逆バイアス領域における破壊電圧が増大するのにしたがって,理想因子nが改善されることを見いだした。改善は,貫通転位(TD)関連の漏れ経路の数が減ったことによると考えられる。表面改質によってTD周辺の電流経路の数が減ったことで,TD周辺の点欠陥が発光におよぼす影響が減少した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *発光ダイオード ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  MBE成長 ,  貫通転位 ,  表面改質
準シソーラス用語： *紫外発光ダイオード ,  分子ビームエピタクシー

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (17件)：

• 1) I. Akasaki and H. Amano: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 9001.
• 2) S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
• 3) A. J. Steckl and J. M. Zavada: MRS Bull. 24 [9] (1999) 33.
• 4) J. J. D. McKendry, B. R. Rae, Z. Gong, K. R. Muir, B. Guilhabert, D.Massoubre, E. Gu, D. Renshaw, and M. D. Dawson: IEEE Photonics Technol. Lett. 21 (2009) 811.
• 5) Z. Y. Fan, J. Y. Lin, and H. X. Jiang: J. Phys. D 41 (2008) 094001.

タイトルに関連する用語 (8件)： 集積化 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  赤色 ,  緑色 ,  青色 ,  ピクセル ,  作製