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J-GLOBAL ID：201302249549731476   整理番号：13A0852989

第一原理計算による抵抗変化型メモリ材料ZrO₂へのドーピング評価

著者 (4件)： 大島翔太 (東京都市大 総研) ,  岩松雅夫 (東京都市大 総研) ,  丸泉琢也 (東京都市大 総研) ,  白木靖寛 (東京都市大 総研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.29P-PB3-1  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *第一原理 ,  *RAM【メモリ】 ,  *ドーピング ,  *酸化ジルコニウム ,  イットリウム ,  マグネシウム ,  *空格子点 ,  密度汎関数法 ,  エネルギー ,  *欠陥準位 ,  アルミニウム ,  酸素空格子点 ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： GGA【近似】 ,  *生成エネルギー ,  *抵抗変化型メモリ

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 第一原理計算 ,  抵抗変化型メモリ ,  ZrO2 ,  ドーピング ,  評価