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J-GLOBAL ID：201302250781094235   整理番号：13A1138713

高電圧製品のための新しいアクティブESDクランプ

Novel Active ESD Clamps for High-Voltage Applications

著者 (2件)： CAO Yiqun (Infineon Technol., Neubiberg, DEU) ,  GLASER Ulrich (Infineon Technol., Neubiberg, DEU)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 13  号： 2  ページ： 388-397  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きなパワーMOSトランジスタ(bigMOS)はESD保護能力を持っていて,アクティブに制御されたESDクランプとして使われる。高電圧製品では誤トリガリングを防ぐために,静的トリガーのアクティブESDクランプが使われる。本稿は,bigMOSのゲート制御を最適化したトリガー回路による,新しい静的トリガーアクティブESDクランプを記す。アクティブクランプには全てのパラメータが回路設計で使われプロセス開発の必要もないので,ESD保護デバイス開発の努力が大幅に低減される。アクティブESDクランプは適用する対象の要求に合わせてクランプ面積を改善し,必要とされるESDウインドウを大きく低減させた。簡単だが効果的なトリガリング技術の使用で,トリガリング回路はスイッチトランジスタ(bigMOS)と比較して小面積で可能になった。

シソーラス用語： 現象 ,  電流電圧特性 ,  放電 ,  生体モデル ,  限界 ,  *信頼性 ,  トリガ回路 ,  *半導体集積回路 ,  クランプ回路
準シソーラス用語： CMOS集積回路 ,  *ESD【放電】 ,  SOA ,  スナップバック ,  安全動作領域 ,  人体モデル

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高電圧 ,  ESD ,  クランプ