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J-GLOBAL ID：201302250842135720   整理番号：13A0401845

スッパタ深さプロファイリングによる埋込み界面の粗さの測定

Measuring the roughness of buried interfaces by sputter depth profiling

著者 (8件)： BARYSHEV S V (Argonne National Lab., IL, USA) ,  KLUG J A (Argonne National Lab., IL, USA) ,  ZINOVEV A V (Argonne National Lab., IL, USA) ,  TRIPA C E (Argonne National Lab., IL, USA) ,  PENG Q (Argonne National Lab., IL, USA) ,  PENG Q (Duke Univ., NC, USA) ,  ELAM J W (Argonne National Lab., IL, USA) ,  VERYOVKIN I V (Argonne National Lab., IL, USA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 24  号： 1  ページ： 015708,1-6  発行年： 2013年01月11日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)基板上に原子層堆積法でMgO(5.5nm)/ZnO(5.5nm)交互8層周期構造を成長させた。この構造を表面からAr⁺ビームでスパッタし,飛行時間型二次イオン質量分析(SIMS)により²⁴Mg⁺と⁶⁴Zn⁺強度を深さの関数として測定した。この測定曲線を混合-粗さ-情報モデルに当てはめ,最適パラメータとして情報深さλ=0.2nm,イオンビーム混合長さw=0.4nm,RMS粗さσ=1.5nmが得られた。さらに鏡面X線反射率をSIMSとは独立に測定し,ZnO層とMgO層の厚さとσを測定し,SIMSの結果と相互検証した。推定したσ=1.5nmは相互拡散ではなく自然の界面粗さに対応すると考察した。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *酸化マグネシウム ,  *酸化亜鉛 ,  化学蒸着 ,  誘電体薄膜 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  周期構造 ,  *深さプロフィル ,  *埋込み【挿入】 ,  *表面粗さ ,  *イオンビームスパッタリング ,  *二次イオン質量分析 ,  反射率 ,  イオンビーム混合
準シソーラス用語： Si基板 ,  原子層堆積 ,  飛行時間二次イオン質量分析 ,  X線反射率

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  質量分析  (CC03013N) ,  スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 深さプロファイリング ,  埋込み ,  界面 ,  粗さ