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J-GLOBAL ID：201302251217948220   整理番号：13A0896484

VHF-PECVD法で堆積させた微結晶シリコン膜の基板温度依存成長特性の研究

The study of the substrate temperature depended growth properties of microcrystalline silicon films deposited by VHF-PECVD method

著者 (5件)： CHEN Yongsheng (Key Lab of Material Physics, Dep. of Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN) ,  CHEN Xiping (Key Lab of Material Physics, Dep. of Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN) ,  HAO Xiuli (Key Lab of Material Physics, Dep. of Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN) ,  LU Jingxiao (Key Lab of Material Physics, Dep. of Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN) ,  YANG Shi-e (Key Lab of Material Physics, Dep. of Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 270  ページ： 737-740  発行年： 2013年04月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,超高周波プラズマ増強化学蒸着(VHF-PECVD)によってSiH₄とH₂混合ガスから作製された水素化微結晶シリコン(μc-Si:H)膜の温度依存成長機構を測定した。一次元プラズマモデルと十分に混合した反応器モデルを組み合わせて成長過程のシミュレーションを実施し,ガス化学種の濃度,結晶方位,水素含有量,堆積速度を計算した。基板温度の上昇とともに表面のダングリングボンドの割合が増加することが結晶粒径の増加の原因であることが分かった。同時に観測されたX線回折強度と膜の堆積速度の温度変化はファセットの成長速度の違いによるものであった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  VHF【周波数】 ,  *水素化物 ,  *ケイ素 ,  温度依存性 ,  ダングリングボンド ,  ファセット ,  半導体薄膜 ,  結晶粒度 ,  X線回折 ,  薄膜成長 ,  *計算機シミュレーション ,  基板温度 ,  成長速度
準シソーラス用語： *微結晶シリコン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： VHF ,  PECVD ,  堆積 ,  微結晶 ,  シリコン膜 ,  基板温度 ,  成長特性 ,  研究