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J-GLOBAL ID：201302251330609386   整理番号：13A1222886

HfO₂/Ge界面へのルチル型TiO₂挿入によるGeO_x生成の抑制

Suppression of GeO_x with rutile TiO₂ Interlayer between HfO₂ and Ge

著者 (8件)： 小橋和義 (明治大) ,  小橋和義 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  長田貴弘 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  生田目俊秀 (明治大) ,  生田目俊秀 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  山下良之 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  小椋厚志 (明治大) ,  知京豊裕 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 87(SDM2013 44-64)  ページ： 25-28  発行年： 2013年06月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Siに代わる新たなチャネル材料として,電子,ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている。しかしながら,high-k/Ge界面の界面準位が大きいことが問題となっている。この問題を解決するために,我々はGe表面のパッシベーション層としてのルチル型TiO₂の効果を調べた。HfO₂とGeとの間にルチル型TiO₂を堆積させた結果,GeO_xの生成が効果的に抑制された。さらに,C-V測定において,小さなヒステリシス,EOT=0.84nmの優れた電気特性が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： 酸化チタン ,  酸化ハフニウム ,  *酸化ゲルマニウム ,  *誘電材料 ,  誘電体薄膜 ,  表面準位 ,  キャリア移動度 ,  不動態化 ,  ルチル型結晶 ,  膜厚 ,  *MOSFET ,  CMOS構造
準シソーラス用語： CMOSFET ,  EOT ,  *high-k材料 ,  パッシベーション ,  界面準位

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： HfO2 ,  Ge ,  界面 ,  ルチル ,  TiO2