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J-GLOBAL ID：201302251517539144   整理番号：13A1439784

化学機械的平坦化による六方晶系SiC(0001)の原子ステップテラス構造の拡張研究

Extended study of the atomic step-terrace structure on hexagonal SiC (0001) by chemical-mechanical planarization

著者 (10件)： SHI Xiaolei (The State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  SHI Xiaolei (Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen 518057, CHN) ,  PAN Guoshun (The State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  PAN Guoshun (Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen 518057, CHN) ,  ZHOU Yan (The State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  ZHOU Yan (Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen 518057, CHN) ,  ZOU Chunli (The State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  ZOU Chunli (Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen 518057, CHN) ,  GONG Hua (The State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  GONG Hua (Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen 518057, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 284  ページ： 195-206  発行年： 2013年11月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶系炭化ケイ素(0001)表面の原子ステップテラス構造は化学機械的平坦化(CMP)とエピタキシャル技術の改良に指針を与える上で重要である。原子ステップテラス構造の最終状態はCMPプロセス,スラリーの形式,エピタキシャル技術を改良するためのフィードバックとして利用できる。この論文では,CMPによって平坦化された4H-及び6H-SiC(0001)の原子ステップテラス構造の拡張研究を報告した。CMPプロセス中の4H及び6H-SiCウェファの(0001)ファセット面の表面トポグラフィを原子間力顕微鏡(AFM)によって研究した。その結果,適切なCMPプロセスによって4H-と6H-SiCの両方の(0001)ファセット面の高精細原子ステップテラス構造が得られ,CMPプロセスの最中のステップテラス構造の形成はある規則を有していることがわかった。CMPプロセスと原子ステップテラス構造の特性の間の関係を研究し,テラスの状態に及ぼすCMPプロセスの可能なインパクトを解析した。ウエハの異なる領域におけるテラスの分布を研究し,その分布の起源を若干考察した。六方晶系SiCにおける転位の形成も記述した。この論文の結果はCMP,結晶成長,エピタクシー研究へのいくつかのアイデアと示唆を提供する。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化学研磨 ,  *炭化ケイ素 ,  *表面テラス ,  トポグラフィー【形態】 ,  エピタクシー ,  結晶成長 ,  転位【結晶】 ,  表面ステップ ,  スラリー ,  フィードバック制御 ,  *ウエハ【IC】 ,  二酸化ケイ素 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： シリカ ,  4H-SiC ,  6H-SiC ,  *化学機械的平坦化 ,  表面トポグラフィー ,  コロイドシリカ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学機械的平坦化 ,  六方晶系 ,  SiC ,  原子 ,  拡張 ,  研究