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J-GLOBAL ID：201302251520587788   整理番号：13A1414491

オフ角制御IIa型ダイヤモンド基板を使用したCVD単結晶ダイヤモンド自立膜の合成と評価

著者 (10件)： 今野雄太 (北大 院工学研究院) ,  後藤拓人 (北大 院工学研究院) ,  金子純一 (北大 院工学研究院) ,  藤田文行 (北大 院工学研究院) ,  西紀彦 (北大 院工学研究院) ,  梅澤仁 (産業技術総合研) ,  渡邊幸志 (産業技術総合研) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  坪内信輝 (産業技術総合研) ,  鹿田真一 (産業技術総合研)
資料名： 日本原子力学会北海道支部研究発表会講演要旨集  (日本原子力学会北海道支部研究発表会要旨集)
巻： 28th  ページ： 15-16  発行年： 2010年 
JST資料番号： L6180A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *角度 ,  *中性子検出器 ,  薄膜 ,  *化学蒸着 ,  化学合成 ,  キャリア
準シソーラス用語： CVDダイヤモンド ,  *オフ角 ,  *ダイヤモンド膜 ,  *単結晶ダイアモンド ,  CVD【化学蒸着】 ,  高温高圧合成 ,  電荷キャリア

分類 (1件)： スペクトル計測及びスペクトロメータ  (AD08030U)

タイトルに関連する用語 (6件)： オフ角 ,  ダイヤモンド基板 ,  CVD ,  単結晶ダイヤモンド ,  自立膜 ,  評価