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J-GLOBAL ID:201302252637943760   整理番号:13A1271898

ホモエピタキシャルδドープダイヤモンド層における高角度円環暗視野透過型走査電子顕微鏡によるホウ素濃度プロファイリング

Boron concentration profiling by high angle annular dark field-scanning transmission electron microscopy in homoepitaxial δ-doped diamond layers
著者 (6件):
資料名:
巻: 103  号:ページ: 042104-042104-4  発行年: 2013年07月22日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  固体デバイス製造技術一般 

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