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J-GLOBAL ID：201302252812454661   整理番号：13A0794570

直接ウエハボンディングとドナーウエハリサイクリングを利用する,ケイ素を用いるゲート優先UTB III-V-オン-絶縁体MOSFETのための集積化径路

An Integration Path for Gate-first UTB III-V-on-insulator MOSFETs with Silicon, using Direct Wafer Bonding and Donor Wafer Reecycling

著者 (13件)： CZORNOMAZ L. (IBM Zurich Res. Lab., Rueschlikon, CHE) ,  DAIX N. (IBM Zurich Res. Lab., Rueschlikon, CHE) ,  CAIMI D. (IBM Zurich Res. Lab., Rueschlikon, CHE) ,  SOUSA M. (IBM Zurich Res. Lab., Rueschlikon, CHE) ,  ERNI R. (EMPA, Duebendorf, CHE) ,  ROSSELL M. D. (EMPA, Duebendorf, CHE) ,  EL-KAZZI M. (IBM Zurich Res. Lab., Rueschlikon, CHE) ,  ROSSEL C. (IBM Zurich Res. Lab., Rueschlikon, CHE) ,  MARCHIORI C. (IBM Zurich Res. Lab., Rueschlikon, CHE) ,  UCCELLI E. (IBM Zurich Res. Lab., Rueschlikon, CHE) ,  RICHTER M. (IBM Zurich Res. Lab., Rueschlikon, CHE) ,  SIEGWART H. (IBM Zurich Res. Lab., Rueschlikon, CHE) ,  FOMPEYRINE J. (IBM Zurich Res. Lab., Rueschlikon, CHE)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 517-520  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiとIn_0.53Ga_0.47As-MOSFETとを自己整合同時集積する場合の,Si基板上の超薄型ボデイ(UTB)III-Vヘテロ構造の優れた熱的安定性について実証した。高品質なInGaAs/InAlAsヘテロ接合(チャネル厚み<10nm)を,直接ウエハボンディングと水素誘導熱剥離により実現した。このドナーウエハはリサイクルによる費用削減も可能である。接着層の熱安定性は600°Cでのゲート優先ソース/ドレイン(S/D)形成における500nmピッチUTB MOSFET集積プロセスに充分に耐えられる。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  基板 ,  再利用 ,  *半導体プロセス ,  ボンディング【IC】 ,  ケイ素 ,  成形 ,  薄板 ,  ゲート【半導体】 ,  化合物半導体 ,  *SOI構造 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： ケイ素ウエハ ,  薄板成形

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： ウエハボンディング ,  ケイ素 ,  ゲート ,  優先 ,  絶縁体 ,  MOSFET ,  集積化 ,  径路