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J-GLOBAL ID：201302253227803118   整理番号：13A1283086

300°CのInAsQD周囲のトレンチにおけるステップ構造のその場STM観察

In situ STM observations of step structures in a trench around an InAs QD at 300°C

著者 (6件)： TOUJYOU T. (Center for Collaborative Res., Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki Minobayashi, Anan, Tokushima 774-0017, JPN) ,  OTSU T. (Center for Collaborative Res., Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki Minobayashi, Anan, Tokushima 774-0017, JPN) ,  WAKAMATSU D. (Center for Collaborative Res., Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki Minobayashi, Anan, Tokushima 774-0017, JPN) ,  KURISAKA M. (Center for Collaborative Res., Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki Minobayashi, Anan, Tokushima 774-0017, JPN) ,  KONISHI T. (Center for Collaborative Res., Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki Minobayashi, Anan, Tokushima 774-0017, JPN) ,  TSUKAMOTO S. (Center for Collaborative Res., Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki Minobayashi, Anan, Tokushima 774-0017, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 378  ページ： 44-46  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300°CでInAs量子ドット(QD)の周りにトレンチにユニークな原子構造を確認するのに成功した。トレンチ構造は,ステップの隣の上部テラスにおいて4×構造(InAs(4×2)あるいはGaAs(4×6))を含む様々な原子ステップで構成されていた。上部テラスエッジから離れるにつれ,4×構造の頻度が減少し,徐々に2×構造(InAs(2×4),InAs(2×3)とGaAs(2×4))に収束した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  *量子ドット ,  *トレンチカット【加工】 ,  原子構造 ,  *表面ステップ ,  表面テラス ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  *表面構造 ,  その場観察 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  MBE成長
準シソーラス用語： STM【顕微鏡】

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (3件)： トレンチ ,  STM ,  観察