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J-GLOBAL ID：201302253245861788   整理番号：13A1824667

InGaN発光ダイオードの静電放電許容度の低周波雑音解析

Low-Frequency Noise Analysis of Electrostatic Discharge Tolerance of InGaN Light-Emitting Diodes

著者 (6件)： CHEN Tzung-Te (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  FU Han-Kuei (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  DAI Chun-Fan (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  WANG Chien-Ping (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHU Chun-Wen (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHOU Pei-Ting (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 11  ページ： 3794-3798  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN LEDのESD許容度は欠陥密度に関連し,その調査は破壊的ESDシミュレーションで行われているので非破壊的方法の開発が望まれている。本稿は,ESD許容度とInGaN LEDの品質を相関づける低周波雑音スペクトル解析法を開発した。解析結果によると,大きな雑音パワースペクトル密度とスロープは逆バイアスでESD許容度が低い。順バイアスではESD許容度に差が無いことがノイズパワースペクトルで明らかになった。EMMI,TEM,EDSの解析から,SiO₂とITO界面の欠陥がLED故障と逆バイアスでの大きな雑音スペクトルの主原因である。この非破壊低周波雑音スペクトル解析はLEDデバイスのESD許容度を評価することが出来,I-V解析によるLEDの信頼性評価よりも優れている。

シソーラス用語： 放電 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *発光ダイオード ,  *低周波雑音 ,  欠陥密度 ,  スペクトル ,  パワースペクトル ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *ESD【放電】 ,  InGaN ,  LED ,  ノイズパワースペクトル ,  雑音スペクトル

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  発光ダイオード ,  静電放電 ,  許容度 ,  低周波雑音 ,  解析