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J-GLOBAL ID：201302253253858532   整理番号：13A0794487

縞状ゲート構成を通しての接合空乏変調に基づいた36mV/decサブ閾値傾斜をもつ新しいSiトンネルFET

A Novel Si Tunnel FET with 36mV/dec Subthreshold Slope Based on Junction Depleeted-Modulation through Striped Gate Configuration

著者 (7件)： HUANG Qianqian (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  HUANG Ru (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  ZHAN Zhan (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  QIU Yingxin (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  JIANG Wenzhe (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  WU Chunlei (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  WANG Yangyuan (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 187-190  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 理想的な急峻ドーピングプロファイルの達成と等価な機能をもつ,新しいSi接合変調トンネルFET(JTFET)を提案した。同一作製プロセスの従来のTFETと較べて,単に縞状ゲートを導入するだけで,JTFETは,接合空乏変調作用によるスイッチングオンのとき,トンネル接合における鋭いバンド曲がりを効果的に達成でき,結果として,はるかに鋭いスイッチング挙動をもたらし,オン電流も,高いトンネル効率及び同一フットプリントの大きなトンネリング面積により増加した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *トンネル効果 ,  *FET【トランジスタ】 ,  閾値 ,  *ゲート【半導体】 ,  レイアウト ,  スイッチング ,  トンネル接合 ,  *不純物分布 ,  バンド構造
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  ドーピング分布 ,  トンネルFET ,  バンド曲がり

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 縞 ,  ゲート ,  変調 ,  DEC ,  サブ閾値 ,  Si ,  トンネルFET