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J-GLOBAL ID：201302253393110589   整理番号：13A0579060

InAs挿入層を持った選択ドープInAlAs/InGaAs/InAlAsヘテロ構造中の電子の最大ドリフト速度

Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts

著者 (9件)： SILENAS A. (Center for Physical Sciences and Technol., Semiconductor Physics Inst., 01108, Vilnius, LTU) ,  POZELA Yu. (Center for Physical Sciences and Technol., Semiconductor Physics Inst., 01108, Vilnius, LTU) ,  POZELA K. (Center for Physical Sciences and Technol., Semiconductor Physics Inst., 01108, Vilnius, LTU) ,  JUCIENE V. (Center for Physical Sciences and Technol., Semiconductor Physics Inst., 01108, Vilnius, LTU) ,  VASIL’EVSKII I. S. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Microwave Semiconductor Electronics, 117105, Moscow, RUS) ,  VASIL’EVSKII I. S. (National Res. Nuclear Univ. MEPhI, 115409, Moscow, RUS) ,  GALIEV G. B. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Microwave Semiconductor Electronics, 117105, Moscow, RUS) ,  PUSHKAREV S. S. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Microwave Semiconductor Electronics, 117105, Moscow, RUS) ,  KLIMOV E. A. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Microwave Semiconductor Electronics, 117105, Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 47  号： 3  ページ： 372-375  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 選択ドープInAlAs/InGaAs/InAlAsヘテロ構造中の量子井戸の中心に置いたInAs挿入層の成長条件,厚みおよびドーピングへの電子移動度とドリフト速度の依存性を調べた。5×10³V/cmの電場下で記録を作った最大ドリフト速度(2~4)×10⁷cm/sを,17nm幅の量子井戸でドープしていない4nm厚みの挿入層により得た。このInAs挿入層構造をさらにドーピングすると,量子井戸中の電子密度を4.0×10¹²cm^-2に増し,最大ドリフト速度は7×10³V/cmの電場下で2×10⁷cm/sにも達した。Copyright 2013 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  素子構造 ,  化合物半導体 ,  *ドリフト速度 ,  ドーピング ,  *挿入 ,  *キャリア移動度 ,  量子井戸 ,  電子密度
準シソーラス用語： *ヒ化アルミニウムインジウム ,  *ヘテロ構造

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： InAs ,  ドープ ,  InAlAs ,  InGaAs ,  ヘテロ構造 ,  電子 ,  ドリフト速度