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J-GLOBAL ID:201302254012619002   整理番号:13A0097560

NANDフラッシュメモリに対するラスタ試験結果と重イオンの結果との相関

Correlation of Laser Test Results With Heavy Ion Results for NAND Flash Memory
著者 (9件):
資料名:
巻: 59  号: 6,Pt.1  ページ: 2831-2836  発行年: 2012年12月 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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NANDフラッシュメモリのパルスレーザ試験結果を幅広いビームの重イオンの結果,そしてコリメートしたMilli-Beam源で得られた重イオンの結果を比較した。入射パルスエネルギーの関数として小さい集束スポットサイズでパルスレーザ測定を行った。Milli-Beamとパルスレーザの結果は一致するようである。幅広いビームの重イオンの結果との違いを説明した。報告された高電流SEFIは多重イオン(あるいは多重光子)相互作用から生じ,単一イオン入射に伴ったものではないと考えられる。
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分類 (2件):
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半導体集積回路  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
タイトルに関連する用語 (5件):
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