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J-GLOBAL ID：201302254908571068   整理番号：13A0766827

NiO_x薄膜のポスト堆積焼鈍:短波長光電子技術のデバイスのためのn型電導性からp型電導性への遷移

Postdeposition annealing of NiOx thin films: A transition from n-type to p-type conductivity for short wave length optoelectronic devices

著者 (3件)： TYAGI Manisha (Univ. Delhi, Delhi, IND) ,  TOMAR Monika (Univ. Delhi, Delhi, IND) ,  GUPTA Vinay (Univ. Delhi, Delhi, IND)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 28  号： 5  ページ： 723-732  発行年： 2013年03月14日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温の基材にRFスパッタリングでn型電導性の(200)配向したNiO_x薄膜を堆積した。373~773Kのポスト堆積焼鈍で堆積膜の結晶化度と粗さが著しく改善された。全ての成長したおよび焼鈍したNiO_x薄膜は可視域で高度に透明であることが判明した。Hall研究と熱電測定によって473Kの温和な温度で電導性がn型からp型へ遷移することが確認された。成長したNiO薄膜(n型)の抵抗,キャリヤー濃度およびHall易動度はそれぞれ約4.80x10^-3Ω-cm,3.90x10²⁰cm^-3および3.3cm²V^-1s^-1で,透明度は65%であった。p型の膜(473K焼鈍)の抵抗,キャリヤー濃度およびHall易動度はそれぞれ約1.54x10^-1Ω-cm,4.45x10¹⁸cm^-3および1.8cm²V^-1s^-1であった。

シソーラス用語： *酸化ニッケル ,  基板 ,  ガラス ,  ターゲット ,  ニッケル ,  RFスパッタリング ,  *反応性スパッタリング ,  酸素 ,  膜厚 ,  *焼なまし ,  *半導体薄膜 ,  *結晶度 ,  表面粗さ ,  可視光 ,  透明材料 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *電気伝導率 ,  電気抵抗率 ,  *キャリア密度 ,  *Hall移動度 ,  *透明度 ,  PN接合 ,  半導体接合
準シソーラス用語： アニーリング ,  キャリア濃度 ,  ホモ接合 ,  結晶化度 ,  電気伝導度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 薄膜 ,  堆積 ,  焼鈍 ,  短波 ,  光電子 ,  電導性 ,  遷移