文献

J-GLOBAL ID：201302255522733698   整理番号：13A0827823

イオン注入により誘起された緩和技術により形成された歪まされたSiGe層の緩和減少のイオン種依存性

Ion Species Dependence of Relaxation Phenomena of Strained SiGe Layers Formed by Ion-Implantation-Induced Relaxation Technique

著者 (4件)： MIZUNO Tomohisa (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  TAKEHI Juria (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  ABE Youhki (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  AKAMATSU Hiromu (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 4,Issue 2  ページ： 04CC05.1-04CC05.6  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は,高性能pチャンネルソースヘテロ接合デバイスのための埋め込み酸化層(BOX)上の圧縮ひずみSiGe層のための新たなH⁺イオン誘起緩和技術を,非常に急峻なH⁺イオンの反跳エネルギー分布ネルギーを使って,イオン注入SiGe層の結晶品質を改善するために,実験的に研究した。くわえて,我々は歪みSiGeのH⁺イオン誘起緩和減少をO⁺イオン誘起のものと比較した。我々はRaman分光分析法を使って,歪んだSiGe層もまた,H⁺イオン打ち込みによってでさえも完全に緩和されうることを実験的に示した。加えて,予想されたとおり,得られたRaman分光データはH⁺イオン打ち込みSiGe層の結晶品質が,向上させられる可能性があり,O⁺イオン打ち込み部分と比較してはるかにより均一であることを示す。しかしながら,大量のH⁺イオン注入は局部的に歪みSiGe層のBOX層からの剥離の原因となり,それはH⁺イオンの技術的限界である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体 ,  *ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  *固溶体 ,  *イオン注入 ,  *緩和現象 ,  ヘテロ接合 ,  歪 ,  層 ,  化学種 ,  水素 ,  酸素 ,  *Ramanスペクトル
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  埋込み酸化物層 ,  *歪半導体 ,  イオン種

分類 (1件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

引用文献 (31件)：

• 1) M. Yoshimi, M. Takahashi, S. Kambayashi, M. Kemmochi, H. Hazama, T. Wada, K. Kato, H. Tango, and K. Natori: IEICE Trans. Electron. E74-C (1991) 337.
• 2) A. Nazarov, J.-P. Colinge, F. Balestra, J.-P. Raskin, F. Gamiz, and V. S. Lysenko: Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications (Springer, Berlin, 2011).
• 3) K. Uchida, H. Watanabe, A. Kinoshita, J. Koga, T. Numata, and S. Takagi: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 47.
• 4) G. Tsutsui, M. Saitoh, and T. Hiramoto: IEEE Trans. Electron Devices 26 (2005) 836.
• 5) B. K. Agrawal and S. Agrawal: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3039.

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン注入 ,  誘起 ,  緩和 ,  SiGe ,  イオン種 ,  依存性