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J-GLOBAL ID：201302255621908416   整理番号：13A0015165

低電圧SRAMのためのヘテロ接合バンド間トンネルFET

Heterojunction Intra-Band Tunnel FETs for Low-Voltage SRAMs

著者 (5件)： GUPTA Sumeet Kumar (Purdue Univ., IN, USA) ,  KULKARNI Jaydeep P. (Purdue Univ., IN, USA) ,  KULKARNI Jaydeep P. (Intel Corp., OR, USA) ,  DATTA Suman (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  ROY Kaushik (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 12  ページ： 3533-3542  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソース/ドレインとチャネルに異なる半導体材料(格子定数は整合する)を使ったヘテロ接合バンド間トンネル(HIBT)FETを提案する。HIBT FETはS/Dとチャネルの界面にエネルギーバンドオフセットを持つ。その結果,オン状態の電流輸送はバンド間トンネリングで生じる。バンドオフセットの値が異なるSi S/DとGaPチャネルのHIBT FETにたいしてデバイス特性を解析した。SiダブルゲートMOSFETと比較してHIBT FETはオン電流が少ない。だが,S/D-チャネル界面のエネルギーバンドオフセットがDIBL/Tを40~59%減らし,オフ電流変動を大きく減らす。さらに,S/Dとチャネル材料の異等量性によってHIBT FETではドーパント散在が無視でき,そのためにプロセス変動許容度が改善される。HIBT FETの低オフ電流変動が6T SRAMの安定性とリークに与える影響を調べた。プロセス変動がある低VDDにおけるセル安定性とリークの減少は,HIBT FETを低電圧SRAMに適したものにしている。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ヘテロ接合 ,  SRAM ,  電圧 ,  駆動 ,  変動 ,  電子遷移 ,  トンネル効果 ,  短チャネル効果 ,  素子構造 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： DIBL ,  ダブルゲートMOSFET ,  *トンネリング ,  *バンド間遷移 ,  プロセス変動 ,  低電圧駆動

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電圧 ,  SRAM ,  ヘテロ接合 ,  バンド ,  トンネルFET