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J-GLOBAL ID：201302255863771547   整理番号：13A0621775

GaN-on-SOIプラットフォーム上の1.4kV AlGaN/GaN HEMT

1.4-kV AlGaN/GaN HEMTs on a GaN-on-SOI Platform

著者 (4件)： JIANG Qimeng (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LIU Cheng (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LU Yunyou (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CHEN Kevin J. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 3  ページ： 357-359  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN-on-SOI(SOI上のGaN)をプラットフォームとし,CMOSとの異種集積に適合性を有する高電圧AlGaN/GaN HEMTを実証した。ここで用いたGaN-on-SOIは,p型(100)Siをハンドルウエハとし,SOI構造のp型(111)Si上にGaNエピ層を成長させたもの。SOI基板の利用で期待されるエピ層応力の低減を顕微Raman分光で示した。作製したエンハンスメントモードHEMTにおいて,ブレークダウン電圧1471V,低オン抵抗3.92mΩ・cm²を得た。

シソーラス用語： *HEMT ,  モード ,  ウエハ【IC】 ,  *窒化ガリウム ,  *高電圧 ,  エピタクシー ,  オン抵抗 ,  漏れ電流 ,  素子構造
準シソーラス用語： SOIウェハ ,  エンハンスメントモード ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウムHEMT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  SOI ,  プラットフォーム ,  AlGaN ,  HEMT