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J-GLOBAL ID：201302256948648570   整理番号：13A1317413

GaAs(110)上のMnAs単分子層の磁気的性質

Magnetic properties of a single molecular layer of MnAs on GaAs(110)

著者 (3件)： HIRAYAMA Motoi (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  NATORI Akiko (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA Jun (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 87  号： 7  ページ： 075428.1-075428.6  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(110)上のMnAs単分子層の電子的性質と磁気的性質をスピン密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて調べた。異方スピン相互作用はMnAs単分子層内に閉込められ,(110)方向に沿った強磁性整列と(001)に沿った無視できる程度の小さな相互作用が存在した。外因性電荷がMnAs層の磁気相互作用に及ぼす影響も調べた。正孔を注入するとMnAs層は異方性の低い磁気相互作用を示し,GaAs(110)の表面準位により媒介される二次元の強磁性を引き受けた。

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  *マンガン化合物 ,  *単分子層 ,  密度汎関数法 ,  第一原理 ,  スピン-スピン相互作用 ,  *強磁性 ,  キャリア注入 ,  表面準位 ,  磁性薄膜 ,  バンド構造 ,  スピン分極
準シソーラス用語： *ヒ化マンガン ,  磁気相互作用 ,  正孔注入

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  単分子層 ,  磁気的性質