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J-GLOBAL ID：201302256973841270   整理番号：13A1749094

32nm SOI先端的論理製造プラットフォーム上のインライン非接触高密度ダイ内監視/制御用の重要な素子性能パラメータの性能に基づく計測法

Performance-Based Metrology of Critical Device Performance Parameters for In-line Non-Contact High-density Intra-die Monitor/Control on a 32nm SOI Advanced Logic Product Platform

著者 (10件)： PELELLA Mario M. (tau-Metrix Inc., CA) ,  MOCUTA Anda C. (IBM Systems & Technol. Group, NY) ,  LEE Birk (tau-Metrix Inc., CA) ,  ZAMDMER Noah (IBM Systems & Technol. Group, NY) ,  SLISHER Dustin K. (IBM Systems & Technol. Group, NY) ,  YU Xiaojun (IBM Systems & Technol. Group, NY) ,  VICKERS James S. (tau-Metrix Inc., CA) ,  TSURUTA Yota (Tokyo Electron America, CA) ,  IYER Subramanian S. (IBM Systems & Technol. Group, NY) ,  PAKDAMAN Nader (tau-Metrix Inc., CA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8681  号： Pt.2  ページ： 86813F.1-86813F.8  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先端的回路製品の消費電力と機能的素子性能のプロセス及び設計により誘起した変動性の監視と制御は,最終的歩留り及び製品性能の仕分けにとって極めて重要である。性能に基づく計測法(PBM)は標準の製品内のダイ内変動性/ACV素子性能と統合プロセスモニタの全ての前提条件を充たす。PBM技術は,ダイ内及びウエハ間変動を含め,素子の機能性の監視と制御に慣用的に用いられる重要な機能素子パラメータとの強い相関を示した。PBMは素子機能性の早期段階でインラインで利用できる。

シソーラス用語： *パラメータ ,  半導体素子 ,  *性能 ,  計測 ,  半導体集積回路 ,  *半導体プロセス ,  ウエハ【IC】 ,  回路パターン形成 ,  CMOS構造 ,  SOI構造 ,  相関 ,  再現性 ,  安定性
準シソーラス用語： *性能パラメータ ,  素子性能

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： SOI ,  論理 ,  プラットフォーム ,  インライン ,  非接触 ,  高密度 ,  ダイ ,  パラメータ ,  計測法