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J-GLOBAL ID：201302257346678297   整理番号：13A0998799

エピタキシャル技術がもたらすLEDの高性能化

Development of highly functional light-emitting diodes by epitaxial technology

著者 (1件)： 成川幸男 (日亜化学工業 LED開発本部)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 82  号： 6  ページ： 514-517  発行年： 2013年06月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 現在,LEDといえば白色LEDを意味するぐらい,青色LEDと黄色蛍光体を組み合わせた白色LEDが一般に普及してきた。本稿では,GaN系半導体を用いた青色LEDの効率改善と,それに伴う白色LEDの効率向上について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  青色光 ,  *エネルギー変換効率 ,  *白色光 ,  エピタクシー ,  蛍光体 ,  可視光
準シソーラス用語： LED ,  黄色光

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (20件)：

• WU, J. Apl. Phys. Lett. 2002, 80, 3967
• YIM, W. M. J. Appl. Phys. 1973, 44, 292
• AMANO, H. Apl. Phys. Lett. 1986, 48, 353
• AMAMO, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1989, 28, L2112
• YOSHIMOTO, N. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 2251

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャル ,  LED ,  高性能化