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J-GLOBAL ID：201302258177803733   整理番号：13A0673042

IBIECによるSiGe/Siの再成長の特性評価

REGROWTH CHARACTERISTICS OF SiGe/Si BY IBIEC

著者 (4件)： AWANE K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  SEKINE W. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  MIYASHITA M. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 31  ページ： 55-58  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge含有量が(x:0.05,0.1,0.2),膜厚が400-440nmの3種類の単結晶Si_1-xGe_x/Siを,室温で1.0×10¹⁶イオン/cm²まで,500keV(x:0.05,0.1),600keV(x:0.2)のGeイオンビーム衝撃によって非晶質化した。損傷した層の再成長挙動を。300°Cで1.0-3.0×10¹⁶イオン/cm²までのフルエンスの2.0MeV Geイオンを用いて,イオンビーム誘起エピタキシャル結晶化(IBIEC)により特性を評価した。チャネリング法によるRutherford後方散乱分光法(RBS)により,IBIECによる結晶性の改善はフルエンスが高くなると飽和する傾向があることを明らかにした。結晶性の改善は高いGe濃度のSiGeでより高速で,顕著であった。IBIECにより処理したSiGeの透過型電子顕微鏡(TEM)像は,転位ループ束が単結晶格子層像に囲まれた島構造として残り,その結果,層状ごとの再成長が終わった後でも高いRBSの揃った収率が生じることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スペクトロスコピー ,  ケイ素 ,  *ゲルマニウム合金 ,  ケイ素含有合金 ,  固溶体 ,  イオン照射 ,  アモルファス化 ,  *非晶質半導体 ,  ゲルマニウム ,  結晶成長 ,  イオンチャネリング ,  エピタクシー ,  透過型電子顕微鏡 ,  転位ループ ,  格子像 ,  *結晶化
準シソーラス用語： Rutherford後方散乱分光測定 ,  非晶質化 ,  再成長 ,  *エピタキシャル成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiGe ,  Si ,  再成長 ,  特性評価