研究者
J-GLOBAL ID:200901020226063209
更新日: 2020年08月30日
山本 康博
ヤマモト ヤスヒロ | Yamamoto Yasuhiro
所属機関・部署:
法政大学 理工学部電気電子工学科
法政大学 理工学部電気電子工学科 について
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職名:
教授
研究分野 (2件):
電気電子材料工学
, 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (7件):
Chemical vapor deposition
, Ion beam induced epitaxial growth
, Thin films
, 化学的気相成長法
, 高誘電体薄膜
, イオンビーム誘起結晶化
, 薄膜半導体
論文 (19件):
T. Furuya, T. Sato, T. Matsumura, Y. Okabe, S. Suzuki, K. Ishibashi. Crystallization Properties of CeO2 Thin Films Deposited by MOCVD with Additional TEOS Introduction. Proc. 33rd Sympos. Mat. Sci. and Eng., Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. 2015. 33. 70-76
Hiroki Ogawa, Takuya Okazaki, Hayao Kasai, Kenta Hara, Yuki Notani, Yasuhiro Yamamoto, Tohru Nakamura. Normally-off GaN MOSFETs with high-k dielectric CeO2 films deposited by RF sputtering. PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 2. 2014. 11. 2. 302-306
K. Hara, T. Okazaki, Y. Notni, T. Osawa, K. Hibino, S. Suzuki, K. Ishibashi, Y. Yamamoto. Effect of O2 Introduction Property of Al Doped CeO2 Films Deposited by Sputtering Method. Proc. 32nd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. 2013. 32. 46-51
Y. Notani, T. Okazaki, K. Hara, T. Osawa, K. Hibino, S. Suzuki, K. Ishibashi, Y. Yamamoto. Electrical Properties of Al Doped CeO2 Thin Films Deposited by O2 Introduced Ar Sputtering. Proc. 32nd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. 2013. 32. 52-57
K. Awane, Y. Kokubo, M. Yomogida, T. Nishimura, Y. Yamamoto. Regrowth characteristics of SiGe/Si by IBIEC and SPEG. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. 2013. 307. 399-403
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MISC (71件):
Y. Yoshimaru, Y. Matsumoto, Y. Yamamoto. Molecular Dynamics Simulation of the Solid-phase Epitaxial Growth of Silicon Germanium Thin Film. Proc. 31st Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. 2012. 31. 47--50
K. Awane, W. Sekine, M. Miyashita, Y. Yamamoto. Regrowth Characteristics of SiGe/Si by IBIEC. Proc. 31st Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. 2012. 31. 55-58
K. Kawakita, K. Morozumi, T. IIzuka, Y. Yamamoto. Si/Ge multilayers formed by vacuum evaporation and IBIEC. Proc. 24th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. 2006. 24. 21--24
M. Maejima, R. Azeti, K. Watanabe, Y. Yamamoto. Development of Hall effect measurement equipment by AC method. Proc. 24th Symposium on Materials Science and Enginnering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. 2006. 24. 25--28
K.Sakurai, H.Ohno, K.Tagui, T.Morita, S.Suzuki, K.Ishibashi, Y.Yamamoto. Fabrication of CeO2 Films on Silicon Substrates by Chemical Vapor Deposition. Proc. 23rd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Techlology, Hosei University. 2005. 23. 27-30
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書籍 (3件):
固体表面分析 II
講談社 1995
表面と薄膜分析技術の基礎
海文堂 1992
APPLICATION OF ION BEAMS IN MATERIALS SCIENCE
法政大学出版局 1988
学歴 (1件):
1973 - 1977 早稲田大学大学院 理工学研究科 電気工学専攻
学位 (1件):
工学博士 (早稲田大学)
経歴 (12件):
2011/04/01 - 2012/03 法政大学大学院工学研究科長
2011/04/01 - 法政大学理工学部教授
2010/04/01 - 2011/03/31 法政大学工学部長
1994/04/01 - 2011/03/31 法政大学工学部教授(「電子材料工学」担当)
1994/04/01 - 法政大学大学院工学研究科電気工学専攻兼担教授(「電子材料工学特論」担当)
1992/04/01 - 1994/03/31 法政大学イオンビーム工学研究所教授
1992/04/01 - 1994/03/01 法政大学イオンビーム工学研究所長
1984/04/01 - 法政大学イオンビーム工学研究所助教授
1982/04/01 - 法政大学イオンビーム工学研究所専任講師
1980/04/01 - 法政大学イオンビーム工学研究所研究助手
1977/04/01 - 1980/03/31 早稲田大学理工学研究所嘱託
1977/10/01 - 1978/09/30 イギリスサリー大学研究員
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委員歴 (5件):
1992/04/01 - 1996/03/01 応用物理学会 講演会分科世話人
1989/04/01 - アメリカ Materials Research Society 会員
1988/04/01 - The Bohmische Physical Society 会員
1986/04/01 - アメリカ物理学 会員
1971/04/01 - 応用物理学会 会員
所属学会 (5件):
アメリカ物理学会員
, 応用物理学会講演会分科世話人
, 応用物理学会 会員
, アメリカ Materials Research Society
, The Bohmische Physical Society 会員
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