フレキシブルで透明なエレクロニクスのためのグラフェン-WS<sub>2</sub>ヘテロ構造に基づく垂直電界効果トランジスタ

GEORGIOU Thanasis; JALIL Rashid; BELLE Branson D.; BRITNELL Liam; GORBACHEV Roman V.; MOROZOV Sergey V.; KIM Yong-Jin; KIM Yong-Jin; GHOLINIA Ali; HAIGH Sarah J.; MAKAROVSKY Oleg; EAVES Laurence; EAVES Laurence; PONOMARENKO Leonid A.; GEIM Andre K.; NOVOSELOV Kostya S.; MISHCHENKO Artem

文献

J-GLOBAL ID：201302258254894941 整理番号：13A0942858

フレキシブルで透明なエレクロニクスのためのグラフェン-WS₂ヘテロ構造に基づく垂直電界効果トランジスタ

Vertical field-effect transistor based on graphene-WS₂ heterostructures for flexible and transparent electronics

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=13A0942858&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=13A0942858&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2059A") }}

著者 (17件)： , , , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 8 号： 2 ページ： 100-103 発行年： 2013年02月
JST資料番号： W2059A ISSN： 1748-3387 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

フレキシブルで透明なエレクロトニクスを実現するための電界効果トランジスタとして,グラフェンとWS₂フレークのヘテロ構造による電界効果垂直トンネリングトランジスタを開発した。WS₂フレークは機械的剥離により調製した。このデバイスの電流-電圧特性をゲート電圧および温度(100-300K)を変化させて調べた。その結果,室温で1x10⁶を超えるオン/オフ電流比および高いオン電流が達成されていることを確認した。また,電流-電圧特性の温度依存性より,大略250Kで電流輸送メカニズムが障壁下での電子トンネリングから熱イオン電流輸送に変化することを見出した。論文ではこれらのデータについて詳しく議論した。

, , , , , , , ,
, ,

トランジスタ

, , ,

前のページに戻る

フレキシブルで透明なエレクロニクスのためのグラフェン-WS2ヘテロ構造に基づく垂直電界効果トランジスタ

フレキシブルで透明なエレクロニクスのためのグラフェン-WS₂ヘテロ構造に基づく垂直電界効果トランジスタ