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J-GLOBAL ID：201302258563049601   整理番号：13A1567208

rfマグネトロンスパッタリングでSi基板に蒸着したZnO:Al膜の構造的研究

Structural investigation of ZnO:Al films deposited on the Si substrates by radio frequency magnetron sputtering

著者 (4件)： CHEN Y.y. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan, TWN) ,  YANG J.r. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan, TWN) ,  CHENG S.l. (Dep. of Chemical and Materials Sci. Engineering, National Central Univ., Jong-li 32001, Taiwan, TWN) ,  SHIOJIRI M. (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto 606-8585, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 545  ページ： 183-187  発行年： 2013年10月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 400nm厚のZnO:Al膜をマグネトロンスパッタリングにより(100)Si基板に作成した。エネルギー分散X線分光法と透過電子顕微鏡法から,蒸着の初期状態で,スパッタ粒子衝突を受けたSiの損傷および酸素をともなうSi原子の挿入により,約4nm厚の非晶質酸化ケイ素層が形成された。次に,基板からスパッタされたSi原子と,標的からのZn原子の同時堆積により,酸化ケイ素層上に約30nm厚の結晶性Si(Zn)層が成長した。最後に,Si(Zn)層上に柱状粒をもつZnO:Al膜が堆積した。スパッタ粒子衝突は,対象膜の構造に大きな影響を与える。ZnO:Al膜の(0001)格子干渉縞が高分解透過電子顕微鏡画像で観測され,また電子回折パターンにおける禁制0001反射が2重回折によるものと結論した。従って,禁制反射の出現は,ZnO:Al膜におけるAl原子と/またはO空孔欠陥の整列を意味するものでは無い。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ドーピング ,  アルミニウム ,  *照射損傷 ,  電子回折 ,  *格子像 ,  基板 ,  ケイ素 ,  酸化ケイ素 ,  非晶質 ,  *機構
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  エネルギー分散X線分光法 ,  *成長機構 ,  透過電子顕微鏡

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  Si基板 ,  蒸着 ,  ZnO ,  Al膜 ,  研究