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J-GLOBAL ID：201302258593958800   整理番号：13A1283155

プラズマ支援MBEにおけるc-サファイア上のAlNの初期成長段階での貫通転位密度の制御

Control of threading dislocation density at the initial growth stage of AlN on c-sapphire in plasma-assisted MBE

著者 (8件)： NECHAEV D.v. (Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  ASEEV P.a. (Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  JMERIK V.n. (Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  BRUNKOV P.n. (Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  KUZNETSOVA Y.v. (Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  SITNIKOVA A.a. (Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  RATNIKOV V.v. (Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  IVANOV S.v. (Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 378  ページ： 319-322  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるAlN核形成層をもつc-Al₂O₃基板上にプラズマ支援分子線エピタキシー(PA-MBE)により成長させた(1~2)μm厚さのAlN緩衝層の結晶性質を研究した。780°Cの基板温度でマイグレーション増強エピタクシー(MEE)により成長させた50nm厚さの核形成AlN層上で最良品質の層が得られた。この場合,緩衝層は,それぞれ469および1025arcsecという対称性AlN(0002)および斜対称的AlN(10~15)X線ロッキング曲線の最も低い半価幅をもっていた。これは4.7×10⁸cm^-2および5.9×10⁹cm^-2のらせんおよび刃状貫通転位密度に相当する。この改善は,高い基板温度でMEEモードにおいて成長させたAlN核形成層においてより大きな直径の平坦な上部の結晶粒に関係づけられるように思える。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  基板 ,  サファイア ,  *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *バッファ層 ,  エピタクシー ,  核形成 ,  ロッキングカーブ ,  X線回折 ,  *貫通転位 ,  *転位密度 ,  制御
準シソーラス用語： *プラズマMBE ,  マイグレーション増強エピタクシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  支援 ,  MBE ,  サファイア ,  AlN ,  初期成長 ,  段階 ,  貫通転位密度