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J-GLOBAL ID：201302258655355121   整理番号：13A1698797

VO₂/TiO₂/サファイア薄膜ヘテロ構造の構造と半導体-金属転移特性との間の相関

Correlation between structure and semiconductor-to-metal transition characteristics of VO₂/TiO₂/sapphire thin film heterostructures

著者 (9件)： BAYATI M.r. (Intel Corp., IMO-SC, SC2, Santa Clara, CA 95054, USA) ,  BAYATI M.r. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., EB-1, Raleigh, NC 27695-7907, USA) ,  MOLAEI R. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., EB-1, Raleigh, NC 27695-7907, USA) ,  WU F. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., EB-1, Raleigh, NC 27695-7907, USA) ,  BUDAI J.d. (Materials Sci. and Technol. Div., Oak Ridge National Lab., Oak Ridge, TN 37831-6118, USA) ,  LIU Y. (Intel Corp., IMO-SC, SC2, Santa Clara, CA 95054, USA) ,  NARAYAN R.j. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., EB-1, Raleigh, NC 27695-7907, USA) ,  NARAYAN R.j. (Joint Dep. of Biomedical Engineering, UNC Chapel Hill and North Carolina State Univ., EB-3, Raleigh, NC 27695-7115, USA) ,  NARAYAN J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., EB-1, Raleigh, NC 27695-7907, USA)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 61  号： 20  ページ： 7805-7815  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,単結晶VO₂薄膜の半導体-金属転移(SMT)特性での歪と薄膜エピタクシーの役割に的を絞った。mカット,rカットおよびcカットサファイア基板で制御された方位のVO₂/TiO₂ヘテロ構造を,エピタキシャル成長させた。高分解能X線回折(2θ-θおよびψスキャン)と高分解能透過電顕技術を用いて詳細な構造研究を行い,SMT特性と微細構造特性との相関付けを行った。TiO₂(101)/rサファイア,TiO₂(100)/cサファイアおよびTiO₂(001)/mサファイアプラットフォーム上に,(100),(001)および(<span style=text-decoration:overline>2</span>01)面外方位の単斜系(M₁)VO₂薄膜をそれぞれ成長させた。界面を横切る面内配列がrサファイア,cサファイアおよびmサファイア基板について,それぞれ[010](100)_VO2||[010](101)_TiO2,[100](001)_VO2||[001](100)_TiO2および[010](<span style=text-decoration:overline>2</span>01)VO2||[010](001)TiO2であることを確証した。VO₂エピ層のSMT温度を~313Kから354K(バルクT_c≒P340K)に調整することができた。特に正方晶系VO₂のc軸に沿ったVO₂格子の残留歪に基づいて,SMT特性を理解した。本研究は,種々の遷移温度を必要とする広範囲な用途のための可能性のある候補としてVO₂基単結晶ヘテロ構造を紹介した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 基板 ,  サファイア ,  *酸化バナジウム ,  *酸化チタン ,  *薄膜 ,  *ヘテロ接合 ,  *金属-半導体転移 ,  膜構造 ,  *エピタクシー ,  *残留歪 ,  層
準シソーラス用語： SMT【転移】 ,  エピタキシャル成長 ,  エピ層 ,  二酸化バナジウム ,  ヘテロ構造 ,  酸化物薄膜 ,  半導体-金属転移

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： VO2 ,  TiO2 ,  サファイア ,  薄膜 ,  ヘテロ構造 ,  半導体-金属転移 ,  相関