文献

J-GLOBAL ID：201302258742533010   整理番号：13A0787805

n型およびp型4H-SiCとNi/Alのオーミック接触に及ぼす焼なまし温度の低下の影響

Effects of Reducing Annealing Temperature on Ni/Al Ohmic Contacts to n- and p-Type 4H-SiC

著者 (4件)： ITO Kazuhiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAKEDA Hidehisa (Kyoto Univ.) ,  SHIRAI Yasuharu (Kyoto Univ.) ,  MURAKAMI Masanori (Ritsumeikan Trust)
資料名： Transactions of JWRI (Joining and Welding Research Institute of Osaka University)  (Transactions of JWRI (Joining and Welding Research Institute of Osaka University))
巻： 41  号： 2  ページ： 33-38  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： S0875A  ISSN： 0387-4508  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型およびp型SiCに対してオームミック挙動を示すNi/Alオーミック接触の同時形成技術に及ぼす焼なまし温度の低下の影響を調べた。Ni/Al接触は900°CにおいてSiC基板と反応し,δ-Ni₂Si(Al)が生成した。900°C,20minの焼なまし後,δ-Ni₂Si(Al)から成る接触は存在せず,n型およびp型SiCに対してオーミック挙動を示した。焼なまし温度の低下に伴って焼なまし中にAl層中の蒸発が少なくなるため,δ-Ni₂Si(Al)粒中のAl濃度が増加し,そのため,通常の堆積法を用い,Alの濃度をp型およびn型SiCに対してオーム挙動を示す適切な狭い範囲に制御することは困難である。900°C,20minの焼なまし後,n型SiCに対してオーミック挙動を示す接点の固有接触抵抗は1000°C,5minで焼なましより高い抵抗を示した。対照的に,p型SiCのオーミック挙動を示すものは焼なまし温度によって変化しなかった。一方,p型SiCとのδ-Ni₂Si(8at%Al)から成るNi/(50mm)Al(10nm)接点の固有接触抵抗は約40×10^-4/cm²に減少した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  *炭化ケイ素 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *Ohm接触 ,  ニッケル ,  アルミニウム ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  *表面構造 ,  相組成 ,  結晶構造 ,  ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  接触抵抗 ,  X線回折分析 ,  層厚 ,  *電流電圧特性 ,  電子顕微鏡観察 ,  濃度依存性 ,  粒径
準シソーラス用語： *パワーデバイス ,  4H-SiC ,  オーミック接触 ,  界面組織 ,  透過型電子顕微鏡法

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  Ni ,  Al ,  オーミック接触 ,  焼なまし温度