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J-GLOBAL ID：201302258776477216   整理番号：13A1593805

セレン過剰ドープシリコンの広域X線吸収微細構造分光法

Extended X-ray absorption fine structure spectroscopy of selenium-hyperdoped silicon

著者 (10件)： NEWMAN Bonna K. (Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  ERTEKIN Elif (Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  SULLIVAN Joseph T. (Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  WINKLER Mark T. (Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  MARCUS Matthew A. (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  FAKRA Sirine C. (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  SHER Meng-ju (Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  MAZUR Eric (Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  GROSSMAN Jeffrey C. (Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  BUONASSISI Tonio (Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 114  号： 13  ページ： 133507-133507-8  発行年： 2013年10月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *EXAFS ,  *セレン ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  光吸収 ,  バンドギャップ ,  光起電素子 ,  赤外検出器 ,  焼なまし ,  状態 ,  置換型原子 ,  点欠陥 ,  密度汎関数法 ,  核間距離 ,  析出 ,  スペクトロスコピー
準シソーラス用語： サブバンドギャップ ,  化学状態 ,  過剰ドーピング

分類 (2件)： X線スペクトル一般  (BM08101P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： セレン ,  ドープ ,  シリコン ,  広域X線吸収微細構造分光法