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J-GLOBAL ID：201302259132336774   整理番号：13A1431971

AlAs障壁により分離したInAsとAs量子ドットを伴ったGaAsベース構造の電子顕微鏡観察

Electron microscopy of GaAs-based structures with InAs and As quantum dots separated by an AlAs barrier

著者 (6件)： NEVEDOMSKIY V. N. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS) ,  BERT N. A. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS) ,  CHALDYSHEV V. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS) ,  PREOBRAZHENSKIY V. V. (Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, pr. Akademika Lavrent’eva 13 ...) ,  PUTYATO M. A. (Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, pr. Akademika Lavrent’eva 13 ...) ,  SEMYAGIN B. R. (Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, pr. Akademika Lavrent’eva 13 ...)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 47  号： 9  ページ： 1185-1192  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE成長させ半導体InAsと金属As量子ドットを伴ったGaAsベース構造の電子顕微鏡観察を実施した。InAs量子ドットはStranski-Krastanov機構により生成し,10nm厚みのGaAsスペーサで分離した垂直結合量子ドット対から成っている。半導体と金属の量子ドットを隔て拡散誘起混合を防止するために,InAs量子ドットはAlAs障壁層と共に厚み5から10nmまで過成長させ,その後でGaAs層を比較的低温(180°C)で成長させた。As量子ドットアレイは低温GaAsのAsリッチ層中に400~760°C,15minの成長後焼なましで生成する。AlAs障壁層の表面プロフィルがInAs量子ドットを伴ったサブ障壁層のそれに対応することを確認した。その様なプロフィルの存在はGaAsのその後の過成長に際してのV字型構造欠陥の生成の原因となる。それに加えて,AlAs層がInAs量子ドットの頂で薄くなる。InAs量子ドット間の領域でAlAs障壁層は焼なまし温度600°Cまでは過剰のAsの拡散を有効に阻止した。しかし,機械的応力の集中とAlAs障壁層の厚みのInAs量子ドットの頂付近での減少が,より高い焼なまし温度での局所的な障壁のブレイクスルーと,結合したInAs量子ドット間の領域中でのAs量子ドットの拡散につながった。Copyright 2013 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化アルミニウム ,  *ヒ素 ,  化合物半導体 ,  *量子ドット ,  *ヒ化ガリウム ,  MBE成長 ,  Stranski-Krastanov成長 ,  スペーサ ,  *拡散障壁 ,  成長 ,  *焼なまし ,  形態 ,  *格子欠陥 ,  *ヒ化インジウム ,  *電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： 過成長 ,  構造欠陥 ,  表面形状

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlAs ,  障壁 ,  InAs ,  量子ドット ,  GaAs ,  電子顕微鏡観察