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J-GLOBAL ID：201302259188487058   整理番号：13A0525326

ポリシリコン薄膜のアルミニウム誘発結晶化と結晶優先配向特性

Aluminum-induced crystallization and grain preferred orientation characteristics of polysilicon thin films

著者 (6件)： Yu Wei (Coll. of Physics Sci. & Technol.,Hebei Univ., Baoding) ,  Guo Yaping (Coll. of Physics Sci. & Technol.,Hebei Univ., Baoding) ,  Yang Yanbin (Coll. of Physics Sci. & Technol.,Hebei Univ., Baoding) ,  Guo Shaogang (Coll. of Physics Sci. & Technol.,Hebei Univ., Baoding) ,  Zhao Yi (Coll. of Physics Sci. & Technol.,Hebei Univ., Baoding) ,  Fu Guangsheng (Coll. of Physics Sci. & Technol.,Hebei Univ., Baoding)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 43  号： 2  ページ： 231-234  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ポリシリコン(ポリSi)膜をアルミニウム誘発結晶化(AIC)方法によって非晶質シリコン(a-Si)膜から調製して,このポリSi膜の核生成と成長機構について研究した。非晶質シリコン(a-Si)膜をプラズマ支援化学蒸着(PECVD)によってガラス基板上に蒸着して,また次に,アルミニウム(Al)層がa-Si膜の表面上でスパッタリングされた後に種々の温度でN2雰囲気中でアニールした。この結果はSi層とAl層の膜配列がアニーリングの後に変化して,ポリSiの平均結晶サイズが約150nmであることを示した。X線回折結果はこの膜の結晶配向性が特にアニーリング温度に依存することを明らかにした。低温で,AIC速度はより低いレベルであり,この結晶配向性はa-Si膜の初期クラスタの原子配置傾向に関係があった。一方,高温で,AICはポリSi(111)の優先核形成とその後の固相成長工程に関して鍵となる役割を果たした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  *薄膜 ,  アルミニウム ,  結晶化 ,  プラズマCVD ,  基板 ,  電気装置部品 ,  アモルファスシリコン
準シソーラス用語： プラズマ支援化学蒸着 ,  ガラス基板 ,  非晶質シリコン

分類 (1件)： 薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン薄膜 ,  アルミニウム ,  誘発 ,  結晶化 ,  結晶 ,  優先配向