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J-GLOBAL ID：201302259242678999   整理番号：13A1758410

2x nm FDSOI技術専用のイオン注入マスクのウエハトポグラフィーモデリング

Wafer topography modeling for ionic implantation mask correction dedicated to 2x nm FDSOI technologies.

著者 (10件)： MICHEL Jean-Christophe (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  LE DENMAT Jean-Christophe (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  SUNGAUER Elodie (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  ROBERT Frederic (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  YESILADA Emek (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  ARMEANU Ana-Maria (Mentor Graphics, Montbonnot Saint Martin, FRA) ,  ENTRADAS Jorge (Mentor Graphics, Montbonnot Saint Martin, FRA) ,  STURTEVANT John L. (Mentor Graphics Corp, OR, USA) ,  DO Thuy (Mentor Graphics Corp, OR, USA) ,  GRANIK Yuri (Mentor Graphics Corp, OR, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8683  ページ： 86830I.1-86830I.13  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトリソグラフィーでは,ウエハトポグラフィー及び下部層は光を反射及び回折してレジストパターンを劣化させる可能性がある。最も一般的解決策は裏面反射防止膜(BARC)の利用であるが,工程の複雑さやサイクル時間,価格の問題が存在する。代替手法として,クリティカルディメンジョン(CD)に影響する全てのスタック効果を考慮し,最終のレジスト輪郭を最良の確度で予測できるモデルを開発した。このモデルはマスク補正のための古典的光近接効果補正(OPC)に使用できる。

シソーラス用語： *補正 ,  ウエハ【IC】 ,  *トポグラフィー【形態】 ,  フォトリソグラフィー ,  イオン注入 ,  下層 ,  *SOI構造 ,  *半導体プロセス ,  フォトマスク ,  モデリング
準シソーラス用語： *完全空乏型SOI ,  *光近接効果補正

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： FDSOI ,  イオン注入 ,  マスク