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J-GLOBAL ID：201302259514368099   整理番号：13A1311104

MEMSエネルギーハーベスティングデバイスに及ぼす窒化アルミニウム結晶方向の影響

Influence of aluminum nitride crystal orientation on MEMS energy harvesting device performance

著者 (5件)： JACKSON Nathan (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL) ,  O’KEEFFE Rosemary (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL) ,  WALDRON Finbarr (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL) ,  O’NEILL Mike (Analog Devices Inc., Limerick, IRL) ,  MATHEWSON Alan (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 23  号： 7  ページ： 075014,1-9  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギーハーベスティングの目的のためのMEMSカンティレバーを作るため3つのウェハー上にAlNを圧電フィルムとして堆積した,そして共振周波数で種々の負荷抵抗を通して発生する電力,電圧および電流を調べた。AlNの圧電特性は,膜の結晶配向に関係し,最適条件は(002)配向で整列されたC-軸のときである。上記の3つのデバイスのうち2つのデバイス(ウェハー2,3)は非-(002)ピークを示さなかった,一方で1つのデバイス(ウェハー1)は(102)および(103)でピークを示した。ウェハー2,3上のデバイスは似通った圧電係数をもち,一方ウェハー1上のデバイスは顕著に低い圧電係数であった。この結果は,非-(002)AlNピークの存在は圧電係数に顕著な影響を及ぼし,それ故MEMSベースのエネルギーハーベスティングカンティレバーから得られるエネルギー量に影響する。

シソーラス用語： エネルギー供給 ,  *MEMS ,  片持梁 ,  窒化アルミニウム ,  薄膜 ,  *結晶方位 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： *AlN ,  *エネルギーハーベスティング ,  *圧電カンチレバー ,  *圧電フィルム ,  結晶配向

分類 (1件)： 圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (4件)： MEMS ,  エネルギーハーベスティング ,  窒化アルミニウム ,  結晶方向