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J-GLOBAL ID:201302260351202773   整理番号:13A0794827

ALN/FEGAB 2層ナノプレート共振器に基づくMEMS共振磁場センサ

MEMS RESONANT MAGNETIC FIELD SENSOR BASED ON AN ALN/FEGAB BILAYER NANO-PLATE RESONATOR
著者 (4件):
資料名:
巻: 26th Vol.2  ページ: 721-724  発行年: 2013年 
JST資料番号: W0377A  ISSN: 1084-6999  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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MEMS技術への磁性材料の統合は,センシング技術における利点から関心が高い。本論文では,超小型,高電力効率および高分解能磁場センサ開発の足掛かりとして,高周波(215MHz)AlN/FeGaB 2層ナノプレート共振器(NPR)磁場センサを設計,作成および試験を行った。高磁歪および軟磁性のFeGaB薄膜を,AlN共振ナノプレートの共振体に初めて集積し,外部磁場に高感度なMEMS共振構造を得た。体積の縮小および高動作周波数にも拘らず,高い電磁性能を達成し,超小型および高分解能磁場センサを可能とした。このプロトタイプを,0~152Oeの異なった磁場範囲に対して特性化し,~1Hz/nTの周波数感度および10nTの実験的検出限界を得,極めて低レベルの磁場を検出する大きな可能性を示した。
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  磁気の計測法・機器 

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